特許
J-GLOBAL ID：201003095053466548

支持装置、支持方法、ダイシング装置、およびダイシング方法

発明者：
黒澤 祐太

黒澤 祐太 について


出願人/特許権者：
リンテック株式会社

リンテック株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人樹之下知的財産事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-297212
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123806
出願日： 2008年11月20日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：
【課題】外縁部に凸部を有する半導体ウェハであっても、ダイシング時のチップの散乱を防止することができる半導体ウェハの支持装置、支持方法、ダイシング装置、およびダイシング方法を提供すること。【解決手段】テープ切断装置8によってマウント用テープTを切断し、この切断によって形成された切断テープT1をウェハWの凹部底面WCに接着することで、切断装置4でウェハWを切断して個片化する際にチップWGの散乱を防止することができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
厚さ方向に突出した環状の凸部を外縁部に有するとともに当該凸部で囲まれた内側に凹部を有する半導体ウェハに対し、前記凸部の突出側から前記凹部との間に空間を形成してマウント用テープが貼付された状態の当該半導体ウェハを前記マウント用テープ側から支持する支持装置であって、 前記凸部に対応する位置を支持する外側支持体と、 前記凹部に対応する位置を支持する内側支持体と、 前記半導体ウェハの凹部周面に沿って前記マウント用テープを切断して当該半導体ウェハの凹部底面に対応した切断テープを形成するテープ切断手段とを備えることを特徴とする支持装置。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 21/683
FI (3件)：
H01L21/78 N ,  H01L21/78 M ,  H01L21/68 N
Fターム (8件)：
5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031DA15 ,  5F031HA13 ,  5F031HA78 ,  5F031LA15 ,  5F031MA34 ,  5F031MA38
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3424052号公報
  • ウェーハの加工方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-201453   出願人：株式会社ディスコ

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