特許
J-GLOBAL ID:201003095084218160
熱処理装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
井上 俊夫
, 三井田 友昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-124616
公開番号(公開出願番号):特開2010-272765
出願日: 2009年05月22日
公開日(公表日): 2010年12月02日
要約:
【課題】基板上に形成された塗布膜を減圧雰囲気下で熱処理するにあたり、処理室内へのパージガスの供給量が少ない場合でも基板への昇華物の付着を抑制することができる熱処理装置を提供すること。【解決手段】処理室21の天井の中央部に、基板載置台31と対向するように当該処理室21にパージガスを導入するためのガス供給ノズル51を設けて、処理室21の底部に当該処理室21内を減圧雰囲気とするための排気口64a、64bを設ける。また、処理室21の中央部にウエハWを水平に載置するための基板載置台31を設けると共に、この基板載置台31を加熱するヒータ33を設けて、前記基板載置台31の外縁から外方に突出し、当該基板載置台31の周方向に沿って形成されると共に処理室21の底面との間に空間を形成する整流部34を設ける。【選択図】図3
請求項(抜粋):
塗布膜が形成された基板を気密な処理容器内にて減圧雰囲気下で熱処理することにより当該塗布膜を改質する装置において、
前記処理容器内に基板を水平に載置するために設けられ、基板と同じか基板よりも広い基板載置台と、
この基板載置台を加熱するための加熱手段と、
前記処理容器の天井部の中央部に、前記基板載置台と対向するように設けられ、前記処理容器内にパージガスを導入するためのガス導入部と、
前記処理容器の底部に形成された排気口と、
前記基板載置台の外縁側から外方に突出し、当該基板載置台の周方向に沿って設けられると共に処理容器の底面との間に空間を形成する整流部と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/31
, H01L 21/683
, B65G 49/07
, H01L 21/316
FI (4件):
H01L21/31 A
, H01L21/68 N
, B65G49/07
, H01L21/316 P
Fターム (37件):
5F031CA02
, 5F031DA01
, 5F031EA14
, 5F031FA01
, 5F031FA07
, 5F031FA12
, 5F031GA15
, 5F031GA45
, 5F031GA48
, 5F031HA33
, 5F031HA37
, 5F031HA80
, 5F031KA01
, 5F031MA30
, 5F031NA04
, 5F031NA09
, 5F031NA16
, 5F031PA23
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045BB14
, 5F045BB17
, 5F045EE13
, 5F045EE14
, 5F045EE20
, 5F045EF13
, 5F045EF14
, 5F045EF15
, 5F045EK20
, 5F045HA19
, 5F058BF46
, 5F058BG01
, 5F058BG02
, 5F058BG03
, 5F058BG04
, 5F058BH01
, 5F058BH20
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