特許
J-GLOBAL ID：201003095476574681

炭化珪素単結晶及び炭化珪素単結晶ウェハ

発明者：
中林 正史

中林 正史 について

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藤本 辰雄

藤本 辰雄 について

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勝野 正和

勝野 正和 について

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柘植 弘志

柘植 弘志 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (4件)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司 ,  佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-265926
公開番号（公開出願番号）：特開2010-095397
出願日： 2008年10月15日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】転位やマイクロパイプ等の結晶欠陥の密度が低く、デバイス応用した場合に高い歩留まり、高い性能を発揮できる良質な炭化珪素単結晶、及び炭化珪素単結晶ウェハを提供する。【解決手段】昇華再結晶法(レーリー法)により製造され、種結晶と成長結晶の界面前後での不純物添加元素濃度の比を5倍以内とし、なおかつ、種結晶近傍の成長結晶の不純物添加元素濃度を2×1019cm-3以上、6×1020cm-3以下とすることで、転位等の結晶欠陥の密度を低下させた高品質炭化珪素単結晶であり、また、この炭化珪素単結晶から作製される炭化珪素単結晶ウェハである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
種結晶と、種結晶の上に成長した成長結晶とからなる炭化珪素単結晶であって、前記成長結晶の少なくとも種結晶近傍領域は不純物添加元素濃度が2×1019cm-3以上、6×1020cm-3以下であり、かつ、種結晶と成長結晶との界面前後における不純物添加元素濃度の高い方と低い方の比(高濃度側結晶の濃度/低濃度側結晶の濃度)が5倍以内であることを特徴とする炭化珪素単結晶。
IPC (1件)：
C30B 29/36
FI (1件)：
C30B29/36 A
Fターム (12件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077EH05 ,  4G077HA01 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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