特許
J-GLOBAL ID:201003095736546628

ガス拡散層の製造方法、膜電極接合体、膜電極接合体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 平木 祐輔 ,  関谷 三男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-106732
公開番号(公開出願番号):特開2010-257765
出願日: 2009年04月24日
公開日(公表日): 2010年11月11日
要約:
【課題】フィルム状の成形した場合であっても、内部に不純物などが残留することなく、ガス透過性に優れた微細孔を安価かつ容易に形成することができるガス拡散層の製造方法を提供する。【解決手段】カーボンブラック粉末11と、PTFE粉末12とを混練して、ガス拡散層用粉末13を製造する工程と、ガス拡散層用粉末13に、超臨界雰囲気下で超臨界二酸化炭素UCを混合することにより、PTFEを溶解させて、ガス拡散層用ペースト材14を製造する工程と、ガス拡散層用ペースト材14の超臨界二酸化炭素UCを減圧しながらフィルム状に成形する工程と、を含んでなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
導電性粉末と、疎水性樹脂粉末とを混練して、ガス拡散層用粉末を製造する工程と、 前記ガス拡散層用粉末に、超臨界雰囲気下で超臨界流体を混合することにより、前記疎水性樹脂を溶解させて、ガス拡散層用ペースト材を製造する工程と、 前記ガス拡散層用ペースト材の超臨界流体を減圧しながらフィルム状に成形する工程と、を含むことを特徴とするガス拡散層の製造方法。
IPC (4件):
H01M 4/88 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/10
FI (6件):
H01M4/88 K ,  H01M4/86 B ,  H01M4/86 H ,  H01M8/02 P ,  H01M8/02 E ,  H01M8/10
Fターム (12件):
5H018BB01 ,  5H018BB03 ,  5H018BB12 ,  5H018DD08 ,  5H018EE08 ,  5H018EE11 ,  5H018EE19 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB02 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05

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