特許
J-GLOBAL ID：201003095998822103
冶金グレードシリコンから中純度および高純度シリコンを製造するためのプロセス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (18件)：
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 勝村 紘
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-524312
公開番号（公開出願番号）：特表2010-538952
出願日： 2008年03月13日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
少なくとも1つの不純物を含む低純度の冶金グレードシリコンを精製し、高純度の固体多結晶シリコンを得るためのプロセスが提供される。前記プロセスは、断熱底壁、断熱側壁、および開いた上面を持つ鋳型中に低純度の冶金グレードシリコンの溶融物を入れ、前記溶融物を電磁的に攪拌しながら前記鋳型の前記開いた上面から前記断熱底壁の方に向けた一方向凝固によって前記溶融物を凝固させ、前記一方向凝固の速度を制御し、前記溶融物が部分的に凝固した時点で前記一方向凝固を停止し、前記高純度の固体多結晶シリコンを含む外側シェル、および不純物が富化された液体シリコンを含む中央部を有するインゴットを作り、前記インゴットの前記外側シェルに開口を形成し、前記不純物が富化された液体シリコンを流出させ、前記高純度の固体多結晶シリコンを有する前記外側シェルを残すことを含む。
請求項（抜粋）：
以下のAl、As、Ba、Bi、Ca、Cd、Fe、Co、Cr、Cu、Fe、La、Mg、Mn、Mo、Na、Ni、P、Pb、Sb、Sc、Sn、Sr、Ti、V、Zn、ZrおよびBの不純物のうちの少なくとも1つを含む低純度の冶金グレードシリコンを精製し、高純度の固体多結晶シリコンを得るためのプロセスであって、前記プロセスは、
(a)低純度の冶金グレードシリコンの溶融物を鋳型に入れる工程であって、前記鋳型が断熱底壁、断熱側壁、および開いた上面を持つ工程と、
(b)前記溶融物を電磁的に攪拌しながら、前記鋳型の前記開いた上面から前記断熱底壁の方に向けた一方向凝固によって前記溶融物を凝固させる工程と、
(c) 前記一方向凝固の速度を制御する工程と、
(d) 前記溶融物が部分的に凝固した時点で前記一方向凝固を停止し、前記高純度の固体多結晶シリコンを含む外側シェル、および不純物が富化された液体シリコンを含む中央部を有するインゴットを作る工程と、
(e) 前記インゴットの前記外側シェルに開口を形成し、前記不純物が富化された液体シリコンを流出させ、前記高純度の固体多結晶シリコンを含む前記外側シェルを残し、それにより前記高純度の固体多結晶シリコンを得る工程と
を含むプロセス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH01
, 4G072MM08
, 4G072MM38
, 4G072RR13
, 4G072RR21
, 4G072RR24
, 4G072TT19
, 4G072UU02
