有機薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備える装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大谷保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-007871
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165930
出願日： 2009年01月16日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】塗布法や印刷法などによって簡便に成膜することができ、有機トランジスタ用絶縁体材料に求められる低表面エネルギー、高誘電率、良絶縁性、良表面平坦性などの特徴を有する優れた有機絶縁体材料を提供し、これを適用することで、低閾値電圧、高電界効果移動度の有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁体層及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該絶縁体層が、鎖状炭化水素基含有アルコキシシランとテトラアルコキシシランとを共加水分解・縮重合して、あるいは、鎖状炭化水素基含有アルコキシシランを加水分解・縮重合して得られる両親媒性オリゴマーを、薄膜成膜して得られるシリカ系有機無機ハイブリッド膜であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを備える装置を提供する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁体層及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタであって、該絶縁体層が、下記一般式(1-a)で表される鎖状炭化水素基含有アルコキシシランAと、下記一般式(2)で表されるテトラアルコキシシランとを共加水分解・縮重合して得られる両親媒性オリゴマーを、薄膜成膜して得られるシリカ系有機無機ハイブリッド膜であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , H01L 21/312 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , C08G 77/18 , H01L 51/40

FI (9件)：

H01L29/78 617T , H01L21/312 C , H01L29/78 618B , H01L29/78 617V , H01L29/28 100A , H01L29/28 280 , H01L21/312 N , C08G77/18 , H01L29/28 390

Fターム (75件)：

4J246AA03 , 4J246BA26X , 4J246BA260 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB022 , 4J246CA12M , 4J246CA12U , 4J246CA120 , 4J246CA14U , 4J246CA14X , 4J246CA140 , 4J246CA26X , 4J246CA260 , 4J246FA071 , 4J246FA131 , 4J246FA421 , 4J246FA431 , 4J246FB051 , 4J246GB22 , 4J246GB32 , 4J246GD08 , 4J246HA63 , 5F058AA10 , 5F058AB10 , 5F058AD02 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AE10 , 5F058AF04 , 5F058AH04 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA08 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK42 , 5F110QQ14

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