パターン形成方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-253372
公開番号（公開出願番号）：特開2010-113356
出願日： 2009年11月04日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：

【課題】感光速度調節が可能なポジティブタイプのフォトレジスト組成物を利用して、リフトオフなどの特殊な工程に適したアンダーカット形態のプロファイルを安定的に形成するパターンの形成方法を提供する。【解決手段】本発明はリフトオフ工程に適用することができるアンダーカット形態のプロファイルを形成する表示素子用パターン形成方法に関するものである。本発明は特定構造のポリマー化合物を使用して感光速度を急速にすることによって、多層フォトレジスト層を形成する時、容易にアンダーカット形態のプロファイルを形成することができ、その結果、リフトオフ工程の適用が容易で、厚さの厚いパターンを形成することもでき、工程中、エッチング工程を省略することができるため、工程単純化を実現することができる。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

(a)基板上に第1フォトレジスト層を形成する段階; (b)前記第1フォトレジスト層上に第2フォトレジスト層を形成する段階;及び (c)前記第1フォトレジスト層及び前記第2フォトレジスト層を露光及び現像して、アンダーカット形状を有するレジストパターンを形成する段階を含み、前記第1フォトレジスト層は下記化学式1で示される化合物を利用して形成され、前記第2フォトレジスト層は前記第1フォトレジスト層より感光速度が遅い、パターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/095 , G03F 7/023 , G03F 7/26 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/095 , G03F7/023 , G03F7/26 513 , H01L21/30 576 , H01L21/30 573

Fターム (21件)：

2H096AA25 , 2H096BA10 , 2H096EA02 , 2H096HA28 , 2H096KA25 , 2H125AF03P , 2H125AM80P , 2H125AN39P , 2H125CA21 , 2H125CB05 , 2H125CC03 , 2H125CC21 , 2H125CD20P , 2H125CD31 , 2H125DA12 , 5F046LA18 , 5F046NA01 , 5F046NA05 , 5F046NA13 , 5F046NA14 , 5F046NA15

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