特許
J-GLOBAL ID：201003096439071048

光半導体装置及びその製造方法

発明者：
風間 拓也

風間 拓也 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-050466
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205969
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】エピタキシャル成長の半導体層の光取り出し面と反対面の反射ミラーを酸化シリコン層及び反射電極層で形成していたので、臨界角内光の反射ミラーの実効反射率が低かった。【解決手段】半導体層11〜14の光取り出し面と反対側に形成された支持電極層101及び空隙101aと、その上に形成された反射電極層102とを設け、空隙101a及び反射電極層102を反射ミラーとして作用させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長の半導体層と、 前記半導体層の光取り出し面と反対面に設けられた反射電極層と、 該反射電極層と前記半導体層の前記反対面との間に設けられ、前記半導体層を支持しかつ前記半導体層を前記反射電極層に電気的に接続する支持電極層とを具備し、 前記支持電極層の総面積が前記反射電極層の面積より小さく、前記支持電極層の周囲の空隙及び前記反射電極層を反射ミラーとして作用させる光半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 33/38 ,  H01L 33/10
FI (2件)：
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 130
Fターム (13件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM