積層構造の不揮発性メモリ装置、メモリカード及び電子システム

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-006158
公開番号（公開出願番号）：特開2010-166055
出願日： 2010年01月14日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】積層構造のセルアレイと周辺回路との配置及び連結とを単純化して、集積度を高めた積層構造の不揮発性メモリ装置、メモリカード及びシステムを提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置は、基板を含む。積層NANDセルアレイは、基板上に垂直に積層された複数のNANDストリングを含む少なくとも1つのNANDセットと、少なくとも1本の信号ラインとを有する。少なくとも1本の信号ラインは、少なくとも1つのNANDセットに共通結合するように、基板上に配される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のNANDストリングを含む少なくとも1つのNANDセットを有する積層NANDセルアレイと、前記少なくとも1つのNANDセットに共通結合された少なくとも1本の信号ラインと、を含むことを特徴とする積層構造の不揮発性メモリ装置。

IPC (6件)：

H01L 21/824 , H01L 27/115 , G11C 16/04 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10

FI (4件)：

H01L27/10 434 , G11C17/00 622E , H01L29/78 371 , H01L27/10 481

Fターム (47件)：

5B125BA02 , 5B125BA08 , 5B125CA06 , 5B125CA30 , 5B125EA05 , 5B125FA06 , 5B125FA07 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083ER03 , 5F083ER14 , 5F083ER22 , 5F083GA10 , 5F083GA15 , 5F083HA06 , 5F083HA07 , 5F083KA01 , 5F083LA02 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA10 , 5F083LA16 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083ZA21 , 5F101BA45 , 5F101BA52 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BC02 , 5F101BD02 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD34 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05 , 5F101BH11

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