サセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-302596
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129764
出願日： 2008年11月27日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：

【課題】成膜工程における金属汚染を抑え、ウェーハ上に均一に成膜することができ、歩留の低下を抑えるとともに、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能なサセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。【解決手段】本発明のサセプタ11は、外径がウェーハwの径より小さく、ウェーハwの中心部を保持する第1のサセプタパーツ12と、ウェーハwの最外周を保持するスペーサ14と、第1のサセプタパーツ12とスペーサ14を保持する第2のサセプタパーツ13を備え、スペーサ14の熱伝導率は、第1および第2のサセプタパーツ12、13の熱伝導率より低い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外径がウェーハの径より小さく、ウェーハの中心部を保持する第1のサセプタパーツと、前記ウェーハの最外周を保持するスペーサと、前記第1のサセプタパーツと前記スペーサを保持する第2のサセプタパーツを備え、前記スペーサの熱伝導率は、前記第1および第2のサセプタパーツの熱伝導率より低いことを特徴とするサセプタ。

IPC (4件)：

H01L 21/683 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , C23C 16/458

FI (4件)：

H01L21/68 N , H01L21/205 , H01L21/31 B , C23C16/458

Fターム (67件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030GA06 , 4K030KA02 , 4K030KA23 , 4K030LA15 , 5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA03 , 5F031HA07 , 5F031HA08 , 5F031HA33 , 5F031HA37 , 5F031MA28 , 5F031PA11 , 5F031PA23 , 5F045AA01 , 5F045AA06 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC18 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB13 , 5F045BB14 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ10 , 5F045EF05 , 5F045EK07 , 5F045EK22 , 5F045EM06 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (1件)

熱転写記録装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-216187 出願人：松下電器産業株式会社

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