特許

J-GLOBAL ID：201003097418137312

シリコン貫通電極基板の製造方法及びシリコン貫通電極基板

発明者： 小林 潔 ,  佐藤 清 ,  高橋 亨 ,  小林 俊宏
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (3件)： 青木 宏義 ,  天田 昌行 ,  岡田 喜雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-293136
公開番号（公開出願番号）：特開2010-123599
出願日： 2008年11月17日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

【課題】表面実装の際の処理に対して十分な強度を有する貫通電極を備えた貫通電極基板を簡単に製造することができる貫通電極基板の製造方法及び貫通電極基板を提供すること。【解決手段】本発明のシリコン貫通電極基板の製造方法は、シリコン基板1にその厚さ方向に貫通した穴部2を形成して、前記厚さ方向に連続した梁1bで支持された貫通電極部1aを残存させる工程と、前記梁1bを熱酸化して前記穴部2を絶縁層3で埋めることにより、シリコンで構成され、前記厚さ方向に貫通した貫通電極4を形成する工程と、を具備することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板にその厚さ方向に貫通した穴部を形成して、前記厚さ方向に連続した梁で支持された貫通電極部を残存させる工程と、前記梁を熱酸化して前記穴部を絶縁層で埋めることにより、シリコンで構成され、前記厚さ方向に貫通した貫通電極を形成する工程と、を具備することを特徴とするシリコン貫通電極基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

H01L21/88 J ,  H01L27/04 F ,  H01L27/04 A ,  H01L21/88 P ,  H01L29/84 Z

Fターム (28件)：

4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112DA03 ,  4M112DA11 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112FA20 ,  5F033JJ06 ,  5F033MM30 ,  5F033QQ06 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033XX19 ,  5F038AZ07 ,  5F038BE07 ,  5F038CA10 ,  5F038CA12 ,  5F038CD18 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-150473   出願人：カシオ計算機株式会社