特許

J-GLOBAL ID：201003097589500342

マスクのレイアウトを設計する方法及びプログラム

発明者： クラスノペロバ・アザリア
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-549580
公開番号（公開出願番号）：特表2010-519572
出願日： 2007年12月20日
公開日（公表日）： 2010年06月03日
要約：

【課題】 マスク・レイアウトを設計する方法及びシステムを提供する。【解決手段】 本発明の方法は、形状のエッジの断片化の前に、光学近接効果補正(OPC)又はマスク検証のためのシミュレーション位置の選択を行う。初期シミュレーション位置は、隣接する形状の影響に基づいて選択され、次いで断片化が初期シミュレーション位置に基づいて行われる。シミュレーション位置は、マスク形状の頂点の影響領域内での初期シミュレーションにより選択されることが望ましい。結果的なシミュレーションの極値点が識別され、そして極値点から形状のエッジへ投影した交点が初期シミュレーション位置を規定するのに使用される。このように選択された初期シミュレーション位置を保持するようにエッジの断片化が行われる。このような初期シミュレーション位置により、OPCエンジンは、最大の影響が生じる形状を更に効率的に補正することができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

複数のマスク形状のレイアウトを準備するステップと、 前記複数のマスク形状のうちの少なくとも1つのマスク形状における最大影響領域を識別するステップと、 前記最大影響領域内の予測イメージを決定するステップと、 前記予測イメージにおける極値の位置を決定するステップと、 前記極値の位置及び前記少なくとも1つのマスク形状のエッジとの間の投影に基づいて、前記エッジ上に初期シミュレーション位置を規定するステップとを含む、マスクのレイアウトを設計する方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F1/08 D ,  H01L21/30 502P

Fターム (5件)：

2H095BA01 ,  2H095BA07 ,  2H095BB02 ,  2H095BB32 ,  2H095BB33