特許

J-GLOBAL ID：201003097733305118

パターン形成方法、極端紫外露光用マスク、極端紫外露光用マスクの製造方法および極端紫外露光用マスクの修正方法

発明者： 西山 泰史
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (5件)： 鈴木 史朗 ,  志賀 正武 ,  渡辺 浩史 ,  高橋 詔男 ,  伏見 俊介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-069068
公開番号（公開出願番号）：特開2010-225698
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

【課題】少ないドーズ量でEUV光の反射率を低下させたパターンを形成できるパターン形成方法を提供すること。【解決手段】極端紫外光を反射可能な多層反射膜12を有する基板10における多層反射膜12の面上に、極端紫外光の吸収係数が高く、かつ、多層反射膜12の最表面層と混合されることによりエッチング速度が低下する高吸収膜14を形成する成膜工程と、高吸収膜14に対してイオンビーム20を照射して少なくとも前記最表面層と高吸収膜14との間に前記最表面層と高吸収膜14とが混合された第二混合層32と第一混合層31を生じさせるミキシング工程と、前記ミキシング工程に続いてエッチングによって第二混合層32を除く高吸収膜14の成分を除去して多層反射膜12の最表面層および第二混合層32を露出させるエッチング工程と、を備える。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

極端紫外光を反射可能な多層反射膜を有する基板における前記多層反射膜の面上に、前記極端紫外光の吸収係数が前記多層反射膜における吸収係数よりも高く、かつ、前記多層反射膜の最表面層と混合されることによりエッチング速度が低下する高吸収膜を形成する成膜工程と、 前記高吸収膜に対してイオンビームを照射して、前記多層反射膜の内部における各層が混合された第一混合層と、前記最表面層と前記高吸収膜との間に前記最表面層と前記高吸収膜とが混合された第二混合層と、を有する混合層を生じさせるミキシング工程と、 前記ミキシング工程に続いてエッチングによって前記混合層を除く前記高吸収膜の成分を除去して前記多層反射膜の最表面層および前記混合層を露出させるエッチング工程と、 を備えるパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G03F 1/16

FI (3件)：

H01L21/30 531M ,  G03F7/20 521 ,  G03F1/16 A

Fターム (7件)：

2H095BA10 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08 ,  5F046GA03 ,  5F046GB01 ,  5F046GD03 ,  5F046GD10