特許
J-GLOBAL ID:201003098261118919
アルキレンカーボネートの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
川口 義雄
, 小野 誠
, 渡邉 千尋
, 金山 賢教
, 大崎 勝真
, 坪倉 道明
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-522271
公開番号(公開出願番号):特表2010-502571
出願日: 2007年08月01日
公開日(公表日): 2010年01月28日
要約:
固体担体上に固定された金属塩の存在下で、対応するアルキレンオキシドを二酸化炭素と接触させることを含み、前記金属塩は、IUPAC命名法による周期律表の第3周期の第2族、第4周期の第2族および第4から12族、第5周期の第2族、第4から7族、第12および14族ならびに第6周期の第2族および第4から6族の金属から選択される金属の陽イオンと、無機および有機の酸の陰イオンから選択される陰イオンとを含み、前記固体担体は、第四級アンモニウム、第四級ホスホニウム、第四級アルセノニウム、第四級スチボニウムまたは第三級スルホニウムの陽イオンを含む、アルキレンカーボネートの製造方法。
請求項(抜粋):
固体担体上に固定された金属塩の存在下で、対応するアルキレンオキシドを二酸化炭素と接触させることを含み、前記金属塩は、IUPAC命名法による周期律表の第3周期の第2族、第4周期の第2族および第4から12族、第5周期の第2族、第4から7族、第12および14族ならびに第6周期の第2族および第4から6族の金属から選択される金属の陽イオンと、無機および有機の酸の陰イオンから選択される陰イオンとを含み、前記固体担体は、第四級アンモニウム、第四級ホスホニウム、第四級アルセノニウム、第四級スチボニウムまたは第三級スルホニウムの陽イオンを含む、アルキレンカーボネートの製造方法。
IPC (5件):
C07D 317/36
, C07D 317/38
, B01J 31/26
, B01J 31/30
, B01J 31/08
FI (5件):
C07D317/36
, C07D317/38
, B01J31/26 Z
, B01J31/30 Z
, B01J31/08 Z
Fターム (35件):
4G169AA03
, 4G169BA02B
, 4G169BA22A
, 4G169BA23A
, 4G169BA23B
, 4G169BA42A
, 4G169BB08A
, 4G169BB08B
, 4G169BB10A
, 4G169BB12A
, 4G169BC09A
, 4G169BC10A
, 4G169BC22A
, 4G169BC31A
, 4G169BC35A
, 4G169BC35B
, 4G169BC62A
, 4G169BC67A
, 4G169BC67B
, 4G169BC68A
, 4G169BD13B
, 4G169BD14B
, 4G169BE08A
, 4G169BE08B
, 4G169BE17A
, 4G169BE17B
, 4G169BE28A
, 4G169BE28B
, 4G169CB25
, 4G169CB74
, 4G169DA05
, 4G169FB77
, 4G169FC08
, 4H039CA42
, 4H039CF30
引用特許:
引用文献:
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