半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大垣孝 , 岡田宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-099795
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251540
出願日： 2009年04月16日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】少ない工程数で製造可能であり、かつゲート電極付近の電界集中を緩和させる。【解決手段】下地11上に第1及び第2絶縁膜13及び15を順次形成し、第2絶縁膜に表面から第1開口パターン、及び第1絶縁膜を露出させ、かつ第1開口パターンよりも開口端の第1方向に沿った長さが短い第2開口パターンを形成し、第1開口パターンを厚み方向に沿って拡大することによって第1開口部19、第1及び第2開口パターンからの露出面から第1絶縁膜を部分的に除去することによって、第1開口部から連続し、かつ第1開口部19よりも開口端の第1方向に沿った長さが短い第2開口部21、及び第2開口部から連続した、下地面を露出させ、かつ第2開口部よりも開口端の第1方向に沿った長さが短い第3開口部23を形成し、第1〜第3開口部を含む電極形成用開口部17を埋め込むとともに、電極形成用開口部周辺の第2絶縁膜の表面を被覆する電極を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

下地と、該下地の下地面を被覆して順次形成された第1及び第2絶縁膜と、該第1及び第2絶縁膜を連続的に貫通して形成された、前記下地面を露出させる電極形成用開口部を埋め込むとともに、該電極形成用開口部周辺の前記第2絶縁膜の表面を被覆する電極とを具え、前記電極形成用開口部は、前記第2絶縁膜の上側表面から該第2絶縁膜の厚み方向の中途まで貫いて形成された第1開口部と、該第1開口部から連続して、前記第2絶縁膜の厚み方向の中途から前記第1絶縁膜の中途まで貫いて形成されており、かつ前記第1開口部よりも開口端の第1方向に沿った長さが短い第2開口部と、該第2開口部から連続して、前記第1絶縁膜の厚み方向の中途から該第1絶縁膜を貫いて形成されており、かつ前記第2開口部よりも開口端の前記第1方向に沿った長さが短い第3開口部とを含み、該電極形成用開口部内の内壁面が、前記第1方向に沿って両側に3段の階段状となっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/423

FI (4件)：

H01L29/80 F , H01L21/28 L , H01L29/58 Z , H01L29/80 Q

Fターム (34件)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD12 , 4M104DD13 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104FF09 , 4M104GG12 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC11 , 5F102HC12 , 5F102HC15 , 5F102HC19

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