特許
J-GLOBAL ID:201003098344262272
ハニカム構造体
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
渡邉 一平
, 木川 幸治
, 菅野 重慶
, 佐藤 博幸
, 小池 成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-223914
公開番号(公開出願番号):特開2010-111567
出願日: 2009年09月29日
公開日(公表日): 2010年05月20日
要約:
【課題】DPFまたはセグメントの流れへの寄与のない、又は小さい細孔を修飾できる修飾部をベース基材に形成することにより、DPFまたはセグメントの高熱容量化及びフィルター再生時の温度上昇を低減でき、かつ流体の透過性能を低減させずに、圧力損失の過度な上昇も制御できるハニカム構造体を提供できる。【解決手段】流体の入口側となる入口側端面と流体の出口側となる出口側端面との間に、流体の流路となる複数のセルが多孔質の隔壁によって区画形成されたハニカム形状を有するハニカム構造体であって、隔壁3は、セラミック粒子からなる多孔質のベース基材と、ベース基材の平均細孔径より小さい平均粒子径を有する粒子を含むスラリーを、ベース基材の全体、または一部に含浸後、熱処理することにより形成された修飾部7とを有するハニカム構造体。【選択図】図4
請求項(抜粋):
流体の入口側となる入口側端面と流体の出口側となる出口側端面との間に、流体の流路となる複数のセルが多孔質の隔壁によって区画形成されたハニカム形状を有するハニカム構造体であって、
前記隔壁は、セラミック粒子からなる多孔質のベース基材と、前記ベース基材の平均細孔径より小さい平均粒子径を有する粒子を含むスラリーを、前記ベース基材の全体、または一部に含浸後、熱処理することにより形成された修飾部とを有するハニカム構造体。
IPC (8件):
C04B 41/85
, B01J 35/04
, B01D 53/86
, B01D 53/94
, F01N 3/02
, B01D 39/14
, B01D 39/20
, B01D 46/00
FI (9件):
C04B41/85 D
, B01J35/04 301E
, B01J35/04 301C
, B01D53/36 C
, B01D53/36 104B
, F01N3/02 301C
, B01D39/14 B
, B01D39/20 D
, B01D46/00 302
Fターム (53件):
3G090AA02
, 3G090BA01
, 4D019AA01
, 4D019BA02
, 4D019BA05
, 4D019BB06
, 4D019BC07
, 4D019BD01
, 4D019CA01
, 4D019CB04
, 4D019CB06
, 4D048AA14
, 4D048AB01
, 4D048BA06X
, 4D048BA10X
, 4D048BA41X
, 4D048BA45X
, 4D048BB02
, 4D048BB14
, 4D048CD05
, 4D058JA32
, 4D058JB06
, 4D058KB02
, 4D058MA44
, 4D058SA08
, 4D058TA06
, 4G169AA01
, 4G169AA03
, 4G169AA08
, 4G169AA11
, 4G169BA02B
, 4G169BA13B
, 4G169BA21B
, 4G169BB15A
, 4G169BB15B
, 4G169BD05B
, 4G169CA03
, 4G169CA07
, 4G169CA18
, 4G169DA06
, 4G169EA19
, 4G169EA25
, 4G169EA27
, 4G169EB12Y
, 4G169EB15Y
, 4G169EC17Y
, 4G169EC21Y
, 4G169FA02
, 4G169FB06
, 4G169FB30
, 4G169FB67
, 4G169FC03
, 4G169FC08
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