特許

J-GLOBAL ID：201003098415557155

真空プロセスにおけるガスハンドリング装置

発明者： ラットゥンデ,オリバー
出願人/特許権者： オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-544348
公開番号（公開出願番号）：特表2010-514941
出願日： 2008年01月04日
公開日（公表日）： 2010年05月06日
要約：

真空処理プロセスにおけるガス圧-上昇パターンを制御するための装置において、ガス入口(1)は、マスフローコントローラーMFC(2)と動作可能に接続され、前記MFC(2)も第1の弁(5)を介して真空チャンバ(3)、および並列に第2の弁(6)を介してベント-ライン(4)と動作可能なように接続される。前記ベント-ライン(4)との接続は、前記ベント-ライン(4)のポンプ断面を変化させるための手段をさらに備える。別の実施形態において、真空処理プロセスにおけるガス圧-上昇パターンを制御するための装置は、弁(11)を介して真空チャンバ(3)と動作可能に接続されたガス入口(13)を備え、ガス入口(13)と弁(11)との接続は、ダイアフラム(12)をさらに備える。

請求項（抜粋）：

真空処理プロセスにおけるガス圧-上昇パターンを制御するための装置であって、 マスフローコントローラーMFC(2)と動作可能に接続されたガス入口(1)を備え、 前記MFC(2)は、第1の弁(5)を介して真空チャンバ(3)とさらに動作可能に接続され、かつ並列に第2の弁(6)を介してベント-ライン(4)と動作可能に接続され、 前記ベント-ライン(4)との接続は、前記ベント-ライン(4)のポンプ断面を変化させるための手段をさらに備える、装置。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  G11B 5/851

FI (2件)：

C23C14/34 M ,  G11B5/851

Fターム (8件)：

4K029BA02 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029EA03 ,  5D112AA03 ,  5D112BD03 ,  5D112FB28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-122623
  
• 薄膜製造方法及びそれに用いる薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-366348   出願人：株式会社村田製作所