金属錯体の製造方法、金属錯体および有機電界発光素子

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：重野剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-258091
公開番号（公開出願番号）：特開2010-083852
出願日： 2008年10月03日
公開日（公表日）： 2010年04月15日
要約：

【課題】従来の方法に比べて容易にかつ収率よく金属錯体を製造する。【解決手段】適当な溶剤に式(1)で表される部分構造を有する化合物と所望の配位子化合物とを溶解させて反応させるのみで、当該所望の配位子を有する金属錯体を得ることができる。(式(1)中、Mは、周期表の第4〜7周期の金属から選ばれる金属元素である。X11〜X26は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、X11〜X26のうち少なくとも1つはハロゲン原子である。)【選択図】図2

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される部分構造を有する化合物を用いて製造することを特徴とする、金属錯体の製造方法。

IPC (5件)：

C07C 45/77 , C09K 11/06 , C07C 49/92 , C07D 213/16 , H01L 51/50

FI (5件)：

C07C45/77 , C09K11/06 660 , C07C49/92 , C07D213/16 , H05B33/14 B

Fターム (23件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107BB06 , 3K107CC04 , 3K107CC45 , 3K107DD53 , 3K107DD64 , 3K107DD67 , 3K107DD69 , 4C055AA01 , 4C055BA02 , 4C055CA01 , 4C055CA08 , 4C055DA01 , 4C055GA02 , 4H006AA02 , 4H006AC90 , 4H050AA02 , 4H050WB11 , 4H050WB13 , 4H050WB14 , 4H050WB21

引用特許：

出願人引用 (1件)

国際公開第2000/57676号パンフレット

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