特許

J-GLOBAL ID：201003099703547128

結合基板、電磁結合モジュール及び無線ICデバイス

発明者： 加藤 登
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (2件)： 森下 武一 ,  谷 和紘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-108471
公開番号（公開出願番号）：特開2010-258913
出願日： 2009年04月27日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

【課題】インダクタンス素子の線路長を短くでき、かつ、結合を強くできる結合基板、電磁結合モジュール及び無線ICデバイスを得る。【解決手段】高透磁率磁性体材料からなる高透磁率磁性体部26と、低透磁率磁性体材料からなる低透磁率磁性体部27とで積層体を形成し、高透磁率磁性体部26及び低透磁率磁性体部27にそれぞれ形成された導体44,45を螺旋状に接続したインダクタンス素子L1を備えた結合基板。高透磁率磁性体部26における導体44の幅が、低透磁率磁性体部27における導体45の幅よりも広く、低透磁率磁性体部27の一の平面における導体45の巻き数が、高透磁率磁性体部26の一の平面における導体44の巻き数よりも多い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

高透磁率磁性体材料からなる高透磁率磁性体部と、低透磁率磁性体材料からなる第1の低透磁率磁性体部とで積層体を形成し、 高透磁率磁性体部及び第1の低透磁率磁性体部にそれぞれ形成された導体を螺旋状に接続したインダクタンス素子を備え、 高透磁率磁性体部における前記導体の幅が、第1の低透磁率磁性体部における前記導体の幅よりも広く、 第1の低透磁率磁性体部の一の平面における前記導体の巻き数が、高透磁率磁性体部の一の平面における前記導体の巻き数よりも多いこと、 を特徴とする結合基板。

IPC (6件)：

H01Q 7/06 ,  H01F 38/14 ,  H05K 3/46 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01Q 1/38

FI (6件)：

H01Q7/06 ,  H01F23/00 B ,  H05K3/46 Q ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K ,  H01Q1/38

Fターム (14件)：

5B035AA00 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA33 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB11 ,  5E346CC02 ,  5E346CC21 ,  5E346HH06 ,  5J046AA04 ,  5J046AA07 ,  5J046AB11 ,  5J046PA07