特許

J-GLOBAL ID：201003099834658537

可変光減衰器

発明者： 土澤 泰 ,  山田 浩治 ,  板橋 聖一 ,  渡辺 俊文 ,  西 英隆 ,  篠島 弘幸
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-118521
公開番号（公開出願番号）：特開2010-266731
出願日： 2009年05月15日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：

【課題】リブ型シリコン細線導波路を利用した可変光減衰器において、無駄な電力を必要とせずに低消費電力で高速動作ができるようにする。【解決手段】電極141および電極151に挟まれた領域のコア103の上面に、この領域のコア103を酸化することで形成した酸化シリコン層107を備える。例えば、よく知られた熱酸化法、もしくはプラズマ酸化法により、酸化シリコン層107が形成できる。酸化シリコン層107は、層厚5nm程度であればよい。酸化シリコン層107を備えることで、電圧印加において、不要な電流の流れが防止でき、低消費電力化を図ることができるようになる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンよりも屈折率の小さい下部クラッド層と、 この下部クラッド層の上に形成されたシリコン層からなるスラブ層と、 このスラブ層の一部を厚くすることで形成されたコアと、 このコアの側面から前記スラブ層の表面にかけての領域および前記コアの上面の少なくとも一方に配置されて酸化することで形成された酸化シリコン層と、 前記コアおよび前記酸化シリコン層を覆って前記スラブ層の上に形成された上部クラッド層と、 前記スラブ層の前記コアの近傍に設けられたn型キャリア供給部と、 このn型キャリア供給部に前記コアを介して対向して前記スラブ層の前記コアの近傍に設けられたp型キャリア供給部と、 前記n型キャリア供給部及び前記p型キャリア供給部に各々接続する電極と を少なくとも備えることを特徴とする可変光減衰器。

IPC (2件)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

G02F1/025 ,  G02B6/12 J

Fターム (27件)：

2H079AA05 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079EA08 ,  2H079EB05 ,  2H079HA12 ,  2H079JA07 ,  2H147AB02 ,  2H147AC01 ,  2H147BA01 ,  2H147BA05 ,  2H147EA13A ,  2H147EA13C ,  2H147EA14B ,  2H147EA17B ,  2H147EA18B ,  2H147EA20B ,  2H147FA05 ,  2H147FA27 ,  2H147FC01 ,  2H147FE06 ,  2H147FE07 ,  2H147GA08