特許
J-GLOBAL ID:201003099852944490
プラスチック基板を有する電子装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
, 松本 晃一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-534026
公開番号(公開出願番号):特表2010-507829
出願日: 2007年10月24日
公開日(公表日): 2010年03月11日
要約:
薄膜電子装置を製造する方法は、湿式成形処理を用いて、剛性担持基板(12)に、プラスチックコーティングを設置するステップを有し、前記プラスチックコーティングは、プラスチック基板(22)を形成する。前記プラスチック材料は、基板面に対して垂直な第1の方向では、前記基板面に平行な第2の方向に比べて、大きな熱膨張係数を有する。前記プラスチック基板上には、薄膜電子素子が形成され、加熱処理により、前記プラスチック基板は、前記基板面に対して垂直な方向に優先的に延び、これにより、剛性担持基板は、プラスチック基板から取り外される。本発明のプラスチック基板における熱膨張係数の異方性により、熱滴リフトオフ処理の間、垂直な方向に基板の膨脹が生じる。これにより、リフトオフ処理が助長され、プラスチック基板の上部表面に取り付けられた部材が保護されることが示されている。
請求項(抜粋):
薄膜電子装置を製造する方法であって、
湿式成形処理を用いて、剛性担持基板に、プラスチックコーティングを設置するステップであって、前記プラスチックコーティングは、プラスチック基板を形成し、基板面に対して垂直な第1の方向では、前記基板面に平行な第2の方向に比べて、少なくとも3倍大きな熱膨張係数を有する透明プラスチック材料を有するステップと、
前記プラスチック基板上に、薄膜電子素子を形成するステップと、
加熱処理により、前記プラスチック基板は、前記基板面に対して垂直な方向に優先的に延び、これにより、前記プラスチック基板から、前記剛性担持基板を取り外すステップと、
を有する方法。
IPC (7件):
G09F 9/30
, G09F 9/00
, H01L 27/32
, H05B 33/10
, H05B 33/02
, H01L 51/50
, G02F 1/133
FI (7件):
G09F9/30 310
, G09F9/00 338
, G09F9/30 365Z
, H05B33/10
, H05B33/02
, H05B33/14 A
, G02F1/1333 500
Fターム (36件):
2H090JB02
, 2H090JB03
, 2H090JC08
, 2H090LA04
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107CC43
, 3K107CC45
, 3K107DD16
, 3K107DD17
, 3K107EE03
, 3K107FF05
, 3K107FF13
, 3K107GG06
, 3K107GG22
, 3K107GG26
, 3K107GG28
, 5C094AA31
, 5C094AA42
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094BA75
, 5C094CA19
, 5C094DA06
, 5C094DA13
, 5C094EB10
, 5C094GB10
, 5G435AA14
, 5G435AA17
, 5G435BB05
, 5G435BB11
, 5G435BB12
, 5G435CC09
, 5G435KK05
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