研究者
J-GLOBAL ID：201101082016473173
更新日: 2022年07月17日
村口 正和
ムラグチ マサカズ | Muraguchi Masakazu
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所属機関・部署：
東北大学 大学院工学研究科・工学部 電気エネルギーシステム専攻 エネルギーデバイス工学講座 エネルギーエレクトロニクス分野
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職名：
准教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
東北大学
国際集積エレクトロニクス研究開発センター 准教授
ホームページURL (2件)：
http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/63fee38172b15ad60ee50ea686bea9fa.html
,
http://db.tohoku.ac.jp/whois/e_detail/63fee38172b15ad60ee50ea686bea9fa.html
研究キーワード (3件)：
マイクロ・ナノデバイス
, 電子デバイス・電子機器
, 薄膜・表面界面物性
論文 (26件)：
H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, S. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, et al. Improvement of Thermal Tolerance of CoFeB-MgO Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions by Controlling Boron Composition. IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS. 2016. 52. 7
Kunihiro Tsubomi, Masakazu Muraguchi, Tetsuo Endoh. Novel current collapse mode induced by source leakage current in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors and its impact. Japanese Journal of Applied Physics. 2016. (in press)
Takuya Imamoto, Yitao Ma, Masakazu Muraguchi, Tetsuo Endoh. Low-frequency noise reduction in vertical MOSFETs having tunable threshold voltage fabricated with 60nm CMOS technology on 300mm wafer process. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2015. 54. 4. 04DC11-1-04DC11-8
Takeshi Sasaki, Masakazu Muraguchi, Moon-Sik Seo, Sung-kye Park, Tetsuo Endoh. Effect with high density nano dot type storage layer structure on 20 nm planar NAND flash memory characteristics. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2014. 53. 4. 04ED17-1-04ED17-8
Masakazu Muraguchi, Tetsuo Endoh. Size dependence of electrostatic lens effect in vertical MOSFETs. Jpn. J. Appl. Phys. 2014. 53. 4S. 04EJ09-1-04EJ09-4
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所属学会 (2件)：
応用物理学会
, 日本物理学会
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