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J-GLOBAL ID：201102126856046633   整理番号：11A0340393

シリコンに極浅注入されたホウ素とヒ素の活性化とドーパント部位

Activation and dopant sites of ultra-shallow implanted boron and arsenic in silicon

著者 (4件)： KOBAYASHI H ,  NOMACHI I ,  KUSANAGI S ,  NISHIYAMA F
資料名： NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
巻： 190  ページ： 547-551  発行年： 2002年 
JST資料番号： O5033A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  注入 ,  ホウ素 ,  ヒ素 ,  活性化 ,  ドーパント