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J-GLOBAL ID：201102151047961643   整理番号：10A1691138

シリコン化学蒸着における反応速度論

Reaction kinetics in silicon chemical vapor deposition

著者 (2件)： TONOKURA K ,  KOSHI M
資料名： CURRENT OPINION IN SOLID STATE & MATERIALS SCIENCE
巻： 6  号： 5  ページ： 479-485  発行年： 2002年 
JST資料番号： O1721A  ISSN： 1359-0286  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  化学蒸着 ,  反応速度論