文献

J-GLOBAL ID：201102200229720863   整理番号：11A1582361

(110)GaAs/AlGaAs量子井戸の室温ゲート制御電子スピン緩和時間

Room Temperature Gate-Controlled Electron Spin Relaxation Time in (110) GaAs/AlGaAs Quantum Wells

著者 (3件)： IBA Satoshi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  KOH Shinji (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  KAWAGUCHI Hitoshi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 23rd  ページ： 547-548  発行年： 2010年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷と電子のスピン自由度の両方を利用する半導体スピントロニクスは,スピンベース電気素子と光学素子のようなその潜在的応用から関心の的になっている。それぞれ比較的短いスピン緩和時間と長い緩和時間を必要とする全光学スピン分極スイッチとスピン分極光源に対する注目が著しい。本研究では,優れた逆バイアス特性を持つ(110)p-i-n構造を製作し,室温での(110)p-i-n構造に挿入したGaAs/AlGaAs MQWにおける電子スピン緩和時間に及ぼす印加電場の影響を初めて研究した。約35kV/cmの印加電場による電子スピン緩和時間の十倍変調を実証した。結果は,スピンベース光学素子の実用にとって有望である。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *量子井戸 ,  室温 ,  ゲート【半導体】 ,  制御 ,  *電子スピン緩和 ,  緩和時間 ,  電荷 ,  電子 ,  自由度 ,  スピントロニクス ,  半導体素子 ,  光学素子 ,  スピン分極 ,  光スイッチ ,  光源
準シソーラス用語： p-i-n素子構造 ,  逆バイアス ,  電場依存性 ,  変調

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  磁気共鳴・磁気緩和一般  (BM07010T)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  室温 ,  ゲート制御 ,  電子スピン緩和