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J-GLOBAL ID：201102200258420267   整理番号：11A1149012

太陽電池発電:現状と今後の見通し

Solar photovoltaic electricity: Current status and future prospects

著者 (8件)： RAZYKOV T.m. (Physical-Technical Inst., Scientific Assoc. “Physics-Sun”, Uzbek Acad. of Sciences, G. Mavlyanov Street 2B ...) ,  RAZYKOV T.m. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of South Florida, 4202 E. Fowler Ave., ENB 0118 Tampa, FL 33620-5350, USA) ,  RAZYKOV T.m. (43600 Solar Energy Res. Inst., UKM, Bangi, Selangor, Malaysia) ,  FEREKIDES C.s. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of South Florida, 4202 E. Fowler Ave., ENB 0118 Tampa, FL 33620-5350, USA) ,  MOREL D. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of South Florida, 4202 E. Fowler Ave., ENB 0118 Tampa, FL 33620-5350, USA) ,  STEFANAKOS E. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of South Florida, 4202 E. Fowler Ave., ENB 0118 Tampa, FL 33620-5350, USA) ,  ULLAL H.s. (National Center for Photovoltaics, National Renewable Energy Lab., Golden, CO 80401, USA) ,  UPADHYAYA H.m. (CREST, Loughborough Univ., Leicestershire LE11 3TU, GBR)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 85  号： 8  ページ： 1580-1608  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ-PVと併せて,Si,III-V,II-VI及びI-III-VI₂半導体技術に基づく,単と多結晶の薄膜太陽電池光(PV)技術の分野で,過去数年間もなされた技術的進歩がレビューされる。PV発電は世界の持続可能な将来のエネルギー必要量のための最良の選択肢の1つである。現在,PV市場は年率35-40%で急速に発展しており,2009年には約10.66GWのPV生産がある。SiとGaAsの単結晶太陽電池の効率は,理論的に予測された最大値に非常に接近している。単と多結晶ウエハースSi太陽電池は,ピークワットあたり約1.50ドルのモジュール生産費の,優勢なPV技術のままである。薄膜PVは,太陽電池のコストをかなり削減する手段として開発された。顕著な進歩が,近年この分野で遂げられた。CdTeとCu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池は,其々16.5%と約20%の記録的な効率を実証した。これらの値は薄膜太陽電池に関して達成された最も高いものである。現在,CdTe薄膜モジュールの生産費はピークワットあたり約0.76ドルである。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *エネルギー変換効率 ,  *製造原価 ,  ケイ素 ,  ポリシリコン ,  *太陽光発電
準シソーラス用語： CIGS太陽電池 ,  シリコン太陽電池 ,  *薄膜太陽電池 ,  生産費 ,  ナノ結晶シリコン ,  単結晶シリコン ,  多結晶シリコン

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 太陽電池 ,  発電 ,  現状 ,  見通し