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J-GLOBAL ID：201102200606714709   整理番号：11A1814507

分子ビームエピタクシーにより成長させた低歪,高Sn組成Ge_1-xSn_x合金の光ルミネセンス増強

Increased photoluminescence of strain-reduced, high-Sn composition Ge_1-xSn_x alloys grown by molecular beam epitaxy

著者 (6件)： CHEN Robert (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  LIN Hai (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  HUO Yijie (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  HITZMAN Charles (Stanford Nano Center (SNC), Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  KAMINS Theodore I. (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  HARRIS James S. (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 18  ページ： 181125  発行年： 2011年10月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)GaAs/In_yGa_1-yAsバッファ層上にGe_0.914Sn_0.086合金を分子ビームエピタクシーを用いて合成した。バッファ層は歪関連欠陥と析出を低下させるためのGe_1-xSn_x層の歪の工学的調節を可能にする。類似の条件下で成長させた試料で,Sn組成が増すと積分光ルミネセンス(PL)強度が単調に増大し,オプトエレクトロニクスに有利なバンド構造の変化を示唆した。歪と組成からのバンドギャップ変化を考慮して直接バンドギャップボウイングパラメータをb=2.1±0.1と決定した。筆者らのモデルに従うと,これらは直接バンドギャップでPLを示す初めてのGe_1-xSn_x試料である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *MBE成長 ,  半導体材料 ,  バッファ層 ,  バンドギャップ ,  *ゲルマニウム合金 ,  スズ含有合金 ,  発光スペクトル ,  半導体薄膜 ,  パラメータ
準シソーラス用語： ボーイングパラメータ

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  低歪 ,  Sn ,  組成 ,  合金 ,  光ルミネセンス ,  増強