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J-GLOBAL ID：201102200659775173   整理番号：11A0135858

いろいろな空気安定性をもつN-チャネルペリレンジイミドトランジスタに対する輸送性質と電荷トラップ比較

Transport Property and Charge Trap Comparison for N-Channel Perylene Diimide Transistors with Different Air-Stability

著者 (9件)： BARRA M. (Univ. Naples Federico II, Naples, ITA) ,  DI GIROLAMO F. V. (Univ. Naples Federico II, Naples, ITA) ,  CHIARELLA F. (Univ. Naples Federico II, Naples, ITA) ,  SALLUZZO M. (Univ. Naples Federico II, Naples, ITA) ,  CHEN Z. (Polyera Corp., Illinois) ,  FACCHETTI A. (Polyera Corp., Illinois) ,  FACCHETTI A. (Northwestern Univ., Illinois) ,  ANDERSON L. (James Cook Univ., QLD, AUS) ,  CASSINESE A. (Univ. Naples Federico II, Naples, ITA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 48  ページ： 20387-20393  発行年： 2010年12月09日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同じような形態的およびミクロ構造特性をもつ二つのペリレンジイミド化合物に基づくボトムゲートボトムコンタクトトランジスタ(対応するFETは非常に異なる空気安定性を示す)を調べた。二つのn-型半導体,N,N′-ビス(n-オクチル)-ペリレン-3,4:9,10-ボス(ジカルボキシイミド)(PDI-8,空気に敏感)とN,N′-ビス(n-オクチル)-1,6-ジシアノペリレン-3,4:9.10-ビス(ジカルボキシイミド)(PDI-8CN₂あるいはPolyera ActivInk N1200,空気に敏感ではない)を用いた。両方の化合物は,トランジスタ作製のためのSi(ゲート)/裸のSiO₂(誘電性)/Au(コンタクト)基板上に蒸気析出させた。真空中で空気に不安定なPDI-8トランジスタに対する飽和様式で抽出した電界効果移動度はPDI-8CN₂ FETより約3×大きい。他方SiO₂表面トラップへのその敏感性の結果としてDPI-8デバイスはバイアスストレス効果(BSE)によりもっと影響を受け,暗状態と照射下の両方で180K以上の温度領域で特異な挙動を示す。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電荷 ,  *捕獲 ,  キャリア移動度 ,  芳香族縮合炭化水素 ,  安定性 ,  金 ,  原子間力顕微鏡 ,  薄膜成長 ,  蒸着 ,  *特性 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  *nチャネル電界効果型トランジスタ ,  *電荷トラップ ,  電界効果移動度 ,  *輸送特性 ,  ペリレン誘導体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： 2,9-ジオクチルアントラ[2,1,9-def:6,5,10-d′e′f′]ジイソキノリン-1,3,8,10(2H,9H)-テトラオン ,  12,13-ジシアノ-2,9-ジオクチルアントラ[2,1,9-def:6,5,10-d′e′f′]ジイソキノリン-1,3,8,10(2H,9H)-テトラオン

タイトルに関連する用語 (4件)： 安定性 ,  輸送 ,  性質 ,  電荷トラップ