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J-GLOBAL ID：201102200699472475   整理番号：11A0122887

室温でパルスレーザ蒸着により得たナノ結晶粒AlN膜の圧電特性

Piezoelectric characteristic of nanocrystalline AlN films obtained by pulsed laser deposition at room temperature

著者 (7件)： CIBERT C. (Lab. SPCTS, UMR 6638, CNRS/Universite de Limoges, European Ceramic Center, 12 rue Atlantis-87068 LIMOGES, FRA) ,  DUTHEIL P. (Lab. SPCTS, UMR 6638, CNRS/Universite de Limoges, European Ceramic Center, 12 rue Atlantis-87068 LIMOGES, FRA) ,  CHAMPEAUX C. (Lab. SPCTS, UMR 6638, CNRS/Universite de Limoges, European Ceramic Center, 12 rue Atlantis-87068 LIMOGES, FRA) ,  MASSON O. (Lab. SPCTS, UMR 6638, CNRS/Universite de Limoges, European Ceramic Center, 12 rue Atlantis-87068 LIMOGES, FRA) ,  TROLLIARD G. (Lab. SPCTS, UMR 6638, CNRS/Universite de Limoges, European Ceramic Center, 12 rue Atlantis-87068 LIMOGES, FRA) ,  TETARD F. (Lab. LPMTM, Inst. Galilee, CNRS, UPR 9001, Avenue Jean-Baptiste Clement, 93430 Villetaneuse, FRA) ,  CATHERINOT A. (Lab. SPCTS, UMR 6638, CNRS/Universite de Limoges, European Ceramic Center, 12 rue Atlantis-87068 LIMOGES, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 25  ページ： 251906  発行年： 2010年12月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)薄膜を室温でパルスレーザ蒸着により蒸着し,それらのナノ構造と圧電特性をフルエンスの関数として調べた。すべてのフルエンスで膜はサイズが6-7nmの結晶性AlNナノ粒子を含む非晶質AlNマトリックスから成ることが分った。これらナノ粒子は良好な圧電応答を見せ,d₃₃圧電係数はは2.3と3.8pmV^-1の間にある。これは高温で蒸着した(002)方位AlN膜で得られる結果と似ている。これら結果は,室温で蒸着したナノ結晶粒AlN膜が音波の応用で集積するため良好な候補材料になることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  ナノ結晶 ,  半導体薄膜 ,  蒸着膜 ,  結晶粒度 ,  非晶質半導体 ,  マトリックス【母体】 ,  基板温度 ,  室温 ,  圧電気 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *圧電係数

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  パルスレーザ蒸着 ,  結晶粒 ,  AlN ,  圧電特性