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J-GLOBAL ID：201102200715586869   整理番号：11A0368012

GaAs基板を放射線にさらしたケイ素原子に対する,高密度InGaSb量子点の成長

Growth of high-density InGaSb quantum dots on silicon atoms irradiated GaAs substrates

著者 (3件)： YAMAMOTO N ,  AKAHANE K ,  OHTANI N
資料名： PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
巻： 21  号： 2-4  ページ： 322-325  発行年： 2004年 
JST資料番号： O5342A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs基板 ,  放射線 ,  ケイ素原子 ,  InGaSb ,  量子点 ,  成長