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J-GLOBAL ID：201102201194251144   整理番号：11A0889023

ジチエノホスホールドーピングによるポリチオフェン類のバンドギャップ工学

Band-Gap Engineering of Polythiophenes via Dithienophosphole Doping

著者 (4件)： KRUEGER Robin A. (Univ. Calgary, Alberta, CAN) ,  GORDON Terry J. (Univ. Calgary, Alberta, CAN) ,  SUTHERLAND Todd C. (Univ. Calgary, Alberta, CAN) ,  BAUMGARTNER Thomas (Univ. Calgary, Alberta, CAN)
資料名： Journal of Polymer Science. Part A. Polymer Chemistry  (Journal of Polymer Science. Part A. Polymer Chemistry)
巻： 49  号： 5  ページ： 1201-1209  発行年： 2011年03月01日 
JST資料番号： C0337C  ISSN： 0887-624X  CODEN： JPLCAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジブロモジドデシルチオフェン,ジブロモジチエノホスホールオキシドおよびビス(トリメチルスタンニル)ビチオフェンのパラジウム触媒を用いたStille交差カップリング共重縮合により,各種量のジチエノ[3,2-b:2′,3′-d]ホスホール単位を導入した一連のπ-共役ポリチオフェン類を合成した。これらの導電性重合体のバンドギャップおよびエネルギーレベルへの洞察を得るために,構造と光物理および電気化学的性質との関係を研究した。クロロホルムおよびヘキサンの2種の抽出条件により,重合体はその分子量に起因して異なる光学的性質を示した。重合体のHOMOレベルおよびLUMOレベルに対する,ジチエノホスホール単位の影響を評価した。結果から,ポリチオフェンにおける安定なアクセプタ部位としてジチエノホスホールの利用は次世代光起電素子開発に重要なバンドギャップの調整に有用であると結論づけた。

シソーラス用語： *導電性高分子 ,  共役 ,  *ポリチオフェン ,  交差カップリング反応 ,  パラジウム触媒 ,  共重縮合 ,  共重合体 ,  *リン複素環化合物 ,  バンドギャップ ,  紫外可視吸収スペクトル ,  蛍光スペクトル ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電気伝導率 ,  アノード酸化 ,  HOMO ,  LUMO
準シソーラス用語： Stilleカップリング反応 ,  *ホスホール類

分類 (1件)： 重縮合  (CG04050Z)

物質索引 (3件)： 2,5-ジブロモ-3,4-ジドデシルチオフェン ,  2,6-ジブロモ-4-フェニル-4H-ホスホロ[3,2-b:4,5-b′]ジチオフェン4-オキシド ,  5,5′-ビス(トリメチルスタンニル)-2,2′-ビチオフェン

タイトルに関連する用語 (3件)： ポリチオフェン類 ,  バンドギャップ ,  工学