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J-GLOBAL ID：201102201247316049   整理番号：11A1344719

シリコン-オン-インシュレータから成る基板のバイアス制御が可能なフォトダイオードにおける感度の金ナノ粒子の付着による改善

Sensitivity improvement of silicon-on-insulator photodiode by gold nanoparticles with substrate bias control

著者 (4件)： ONO Atsushi (Div. of Global Res. Leaders, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8561, JPN) ,  MATSUO Yuki (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  SATOH Hiroaki (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  INOKAWA Hiroshi (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 6  ページ： 062105  発行年： 2011年08月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン-オン-インシュレータ(SOI)を基本とする横型p-n接合フォトダイオードの感度は,金(Au)のナノ粒子を付着させることによって大幅に増大することが分かった。Auのナノ粒子を含む素子と含まない素子のI-V特性を,いろいろな基板電圧下で比較することによって,感度の増大を確認した。基板に正のバイアスが印加された場合,可視光域の感度は2倍程度増大することが分かった。基板のバイアスによって,SOIにおける空乏層の面積が変化し,空乏層の面積が小さい場合には,Auナノ粒子による光散乱によって感度が効果的に増大することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *SOI構造 ,  基板 ,  *フォトダイオード ,  感度 ,  金 ,  ナノ粒子 ,  電流電圧特性 ,  電圧 ,  空乏層 ,  酸化膜 ,  窒化ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： BOX ,  バイアス電圧

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  インシュレータ ,  バイアス ,  フォトダイオード ,  感度 ,  金ナノ粒子