文献

J-GLOBAL ID：201102201528086328   整理番号：11A1034208

逆電圧下の量子井戸構造デバイスの光ルミネセンス消光の研究

Study on Photoluminescence Quenching of Quantum Well Structure Devices under Reverse Voltage

著者 (7件)： ZHU Hai-na (Optical Information Beijing Jiaotong Univ., Beijing) ,  XU Zheng (Optical Information Beijing Jiaotong Univ., Beijing) ,  ZHANG Fu-jun (Optical Information Beijing Jiaotong Univ., Beijing) ,  ZHAO Su-ling (Optical Information Beijing Jiaotong Univ., Beijing) ,  WANG Zhi-bin (Optical Information Beijing Jiaotong Univ., Beijing) ,  SONG Dan-dan (Optical Information Beijing Jiaotong Univ., Beijing) ,  ZHANG Yan-fei (Optical Information Beijing Jiaotong Univ., Beijing)
資料名： Guangpuxue yu Guangpu Fenxi  (Guangpuxue yu Guangpu Fenxi)
巻： 30  号： 2  ページ： 304-307  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2093A  ISSN： 1000-0593  CODEN： GYGFED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 量子井戸周期の異なる三つの有機デバイスを作製した。電子のポテンシャルバリヤー層と井戸層を,N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス(1-ナフチル)-1,1’-ビフェニル1-4,4’-ジアミン(NPB)と4,4,N,N’-ジカルバゾールビフェニル(CBP)で調製した。これらの三つのデバイスの光ルミネセンス消光を逆電圧変化下で研究した。結果は,NPB層の光ルミネセンス消光が著者のデバイスのCBP層よりも高速に起こることを示した。NPB層での実効電界がCBP層に比べて高いためであった。同じ逆電圧下で量子井戸周期を増加したとき,NPB層とCBP層の励起子を簡単に分離できた。これらの三つのデバイスは,タイプIIの量子井戸構造であるので,これらのデバイス内の励起子があまり安定でない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  ポテンシャル ,  被覆層 ,  *量子井戸 ,  電圧変動 ,  ジアミン ,  消光 ,  周期構造 ,  エレクトロルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  励起子 ,  窒素複素環化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  芳香族炭化水素
準シソーラス用語： バリア層 ,  電圧変化 ,  有機EL

分類 (1件)： 有機化合物のルミネセンス  (BM08094A)

物質索引 (2件)： カルバゾール ,  ジフェニル

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子井戸 ,  光ルミネセンス ,  消光 ,  研究