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J-GLOBAL ID:201102201552640832   整理番号:11A1159958

1Tbファイル記憶応用のための新しい3次元サラウンディングフロ-ティングゲートを有する二重制御ゲート(DC-SF)NANDフラッシュセル

Novel 3-Dimensional Dual Control-Gate with Surrounding Floating-Gate (DC-SF) NAND Flash Cell for 1Tb File Storage Application
著者 (18件):
資料名:
巻: 2010  ページ: 668-671  発行年: 2010年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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サラウンディングフロ-ティングゲートを有する二重制御ゲート(DC-SF)を実現することによる,3Dフローティングゲート(FG)型NANDフラッシュ素子を提案した。DC-SF構造の主な利点は,FGを電荷貯蔵ノードとして用いていることであった。さらに特殊な機能性は,一つのサラウンディングFGが,二つの隣り合う制御ゲートにより制御される3D構造から得られた。これは,結合比における大きな改善をもたらした。結果として,DC-SFは,3D NANDフラッシュ素子に関して,広いプログラム/消去(P/E)ウィンドウ及び低バイアスセル動作を可能にした。
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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