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J-GLOBAL ID：201102201883517674   整理番号：11A1095311

化学浴によるZnS薄膜に及ぼす堆積温度の影響

Influence of Deposited Temperature on ZnS Thin Films by Chemical Bath

著者 (3件)： XU Peng (Center of Analysis and Testing,Nanchang Unversity, Jiangxi, Nanchang) ,  LIU Tingzhi (Jiangxi Sci. and Technol. Normal Univ., Jiangxi, Nanchang) ,  GUO Lan (Center of Analysis and Testing,Nanchang Unversity, Jiangxi, Nanchang)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 24  号： 4  ページ： 94-97  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ZnS薄膜を,化学浴堆積によって種々の堆積温度で一般的ガラス基質上に合成した。ZnS薄膜のモルホロジー的,構造的及び光学的特性を,SEM,EDS,XRD及びnkd-分光光度計を用いて,種々の堆積温度で解析した。その結果,堆積温度の上昇と共に,結晶化度,モルホロジー及び成長様式が改良されないことが判明した。膜が生成するかしないかは温度に依存しなかった。しかし,ZnS薄膜の堆積速度は堆積温度に大変依存した。透過率は最初に低下し最後に増加し,反射率は温度の上昇と逆関係であった。同じサンプルに対して,透過率と反射率は互いに良く対応した。堆積温度が70°Cの場合に,ZnS薄膜はスムースな非晶質で,化学量論比に近く,バンドギャップは3.83eVであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 化学 ,  硫化亜鉛 ,  *薄膜 ,  温度 ,  堆積 ,  ガラス ,  モルフォロジー ,  光学的性質 ,  透過率 ,  非晶質
準シソーラス用語： ZnS ,  光学的特性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化学 ,  ZnS ,  薄膜 ,  堆積