多結晶ダイヤモンドにおけるホウ素アクセプタの重水素によって誘起される不動態化

HABKA N.; CHIKOIDZE E.; JOMARD F.; DUMONT Y.; CHEVALLIER J.; BARJON J.; MER C.; BERGONZO P.

文献

J-GLOBAL ID：201102201890564750 整理番号：11A0131998

多結晶ダイヤモンドにおけるホウ素アクセプタの重水素によって誘起される不動態化

Deuterium-induced passivation of boron acceptors in polycrystalline diamond

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資料名：
巻： 108 号： 12 ページ： 123701 発行年： 2010年12月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ホウ素のドープされた単結晶ダイヤモンド(BDD)では,重水素の拡散によって(B,D)複合体が形成されるので,アクセプタが電気的に不動態化されることが知られている。しかし,このプロセスを活用した素子への応用は,利用可能な単結晶基板のサイズが小さいということによって現在制限されている。本研究では,多結晶ダイヤモンドの結晶粒サイズが有効な重水素の拡散を達成するための重要なパラメータであることを示す。結果として,平均結晶粒サイズが50μmの多結晶ダイヤモンド層について,ホウ素アクセプタの電気的不動態化に関する明確な確証を初めて明らかにすることができた。ホウ素の濃度が2×10¹⁹cm^-3の場合,重水素の拡散後における室温での正孔移動度は,70から120cm²V^-1s^-1に増大することが分かった。更に驚くべきことは,補償比は拡散の前後において変化せず,このことはアクセプタとドナーの双方に対する同程度の不動態効果を示唆している。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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