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J-GLOBAL ID：201102202868106770   整理番号：11A0492909

次世代表面弾性波デバイス製造に向けた微細加工技術に関する研究

著者 (3件)： 植杉克弘 (室蘭工大) ,  小川健吾 (ファインクリスタル) ,  福田永 (室蘭工大)
資料名： 室蘭工業大学地域共同研究開発センター研究報告
号： 21  ページ： 21-23  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： L5514A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 将来,生化学分野で使用される表面弾性波(SAW)デバイスを搭載したラボオンチップ(Lab-on-a-chip)の製造プロセスを検討し,特に,SAWデバイスにおける櫛型電極の微細加工技術の検討を行なった。電極幅をμmオーダーにするため,電子線露光を用いたCrパターン形成を試み,今回,2μmパターンを作成できる条件を見出したことで,さらなる微細化の可能性が得られた。

シソーラス用語： *弾性表面波素子 ,  *微細加工 ,  生化学 ,  半導体チップ ,  分析機器 ,  *生産工程 ,  電極 ,  ラボオンチップ装置
準シソーラス用語： 櫛型電極

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  弾性表面波デバイス  (NC03120T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 次世代 ,  表面弾性波デバイス ,  微細加工技術 ,  研究