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J-GLOBAL ID：201102203278217270   整理番号：11A1530084

H∥C2に対する磁場の量子限界範囲でのn-BiSb半導体合金における電子トポロジー転移

Electronic topological transition in an n-BiSb semiconductor alloy in the quantum limit range of magnetic fields for H∥C2
著者 (5件)：
RED’KO N. A.

RED’KO N. A. について

(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicotechnical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)

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RED’KO N. A.

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(International Lab. of High Magnetic Fields and Low Temperatures, 53-421, Wroclaw, POL)

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KAGAN V. D.

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(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicotechnical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)

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VOLKOV M. P.

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(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physicotechnical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS)

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VOLKOV M. P.

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(International Lab. of High Magnetic Fields and Low Temperatures, 53-421, Wroclaw, POL)

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資料名：
Journal of Experimental and Theoretical Physics  (Journal of Experimental and Theoretical Physics)

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巻： 111  号： 2  ページ： 241-245  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： A1014A  ISSN： 1063-7761  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ロシア (RUS)  言語： 英語 (EN)
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