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J-GLOBAL ID：201102203696351030   整理番号：11A0192720

Al誘起結晶化初期過程におけるSiGe薄膜の微細構造解析

著者 (8件)： 犬塚純平 (九大) ,  光原昌寿 (九大) ,  板倉賢 (九大) ,  西田稔 (九大) ,  池田賢一 (九大) ,  黒澤昌志 (九大) ,  佐道泰造 (九大) ,  宮尾正信 (九大)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集
巻： 36  ページ： 164  発行年： 2010年11月27日 
JST資料番号： L1487A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： アルミニウム ,  初期 ,  *半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  微細構造 ,  構造解析 ,  *結晶化 ,  窒素 ,  熱処理 ,  非晶質半導体 ,  ケイ素 ,  石英 ,  基板 ,  光学顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  集束イオンビーム ,  透過型電子顕微鏡 ,  拡散
準シソーラス用語： *SiGe ,  暗視野 ,  *金属誘起結晶化 ,  明視野

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： Al ,  誘起 ,  結晶化 ,  初期 ,  過程 ,  SiGe ,  薄膜 ,  微細構造 ,  解析