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J-GLOBAL ID：201102203903844203   整理番号：11A1159834

MuGFETのキャリア移動度と速度:フィンのアスペクト比,方位と応力の影響

MuGFET Carrier Mobility and Velocity: Impacts of Fin Aspect Ratio, Orientation and Stress

著者 (5件)： XU Nuo (Univ. California, CA, USA) ,  SUN Xin (Univ. California, CA, USA) ,  XIONG Weize (Texas Instruments Inc., TX, USA) ,  CLEAVELIN C.Rinn ,  LIU Tsu-Jae King (Univ. California, CA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 194-197  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多ゲート電界効果型トランジスタ(MuGFET)の性能へのフィンのアスペクト比,結晶方位とプロセス誘起チャンネル応力の影響について詳細に調べた。<100>または<110>フィン方位(電流の流れ方向)を有するMuGFETを(100)シリコン-オン-絶縁膜(SOI)基板上に作製した。フィンの結晶方位とアスペクト比が,無歪み型と歪み型MuGFET実効キャリア移動度に顕著に影響することを示した。短チャンネルFinFET素子の測定から抽出したキャリア注入速度は,キャリア移動度に大きく依存し,コンタクトエッチングストップライナー(CESL)誘起応力は,nチャンネルとpチャンネルFinFETと3ゲートFETの実効キャリア移動度と弾道性速度の最良の向上方法であることがわかった。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  フィン ,  *アスペクト比 ,  *結晶方位 ,  キャリア注入 ,  SOI構造 ,  基板 ,  電子 ,  正孔 ,  キャリア散乱
準シソーラス用語： FinFET ,  MuGFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MuGFET ,  キャリア移動度 ,  フィン ,  アスペクト比 ,  方位 ,  応力