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J-GLOBAL ID：201102203978508616   整理番号：11A0897919

ゲート酸化膜短回路レベル用の動的供給電源試験の分析

Analysis of Dynamic Supply Current Testing for Gate Oxide Shorts Circuit Level

著者 (4件)： JIANG Shu-yan (School of Automation Engineering, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Sichuan, Chengdu) ,  LUO Yi (School of Automation Engineering, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Sichuan, Chengdu) ,  LUO Gang (Dep. of Mechanical Engineering, Chengdu Electromechanical Coll., Sichuan, Chengdu) ,  XIE Yong-le (School of Automation Engineering, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, Sichuan, Chengdu)
資料名： Dianzi Keji Daxue Xuebao  (Dianzi Keji Daxue Xuebao)
巻： 39  号： 1  ページ： 61-64  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1475A  ISSN： 1001-0548  CODEN： DKDAEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ゲート酸化膜短回路は,集積回路(IC)の信頼性に対する主要課題の1つであり,それが何の論理エラーもなくパラメトリック故障をもたらす結果になる。本論文において,このゲート酸化膜短回路のCMOS NANDゲートの挙動を,回路レベルでの動的供給電源(IDDT)試験に基づいて調査した。いくつかの適切な試験パターンを選択して,論理的故障が全くないTSMC0.18μm技術で,ゲート酸化膜短回路の動的供給電源をシミュレーション,分析した。シミュレーション結果は,電源供給経路上のIDDTの分析によって欠陥装置を検出することが可能であることを証明した。電圧試験と比較して,IDDT試験のほうがゲート酸化膜短回路を有効に検出することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *酸化膜 ,  短絡【電気】 ,  測量器械 ,  試験 ,  シミュレーション ,  テストパターン ,  半導体 ,  集積回路 ,  論理演算 ,  CMOS
準シソーラス用語： *ゲート酸化膜 ,  短回路 ,  レベル【測量】 ,  試験パターン ,  NAND

分類 (1件)： 計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート酸化膜 ,  短回路 ,  試験 ,  分析