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J-GLOBAL ID：201102204197352935   整理番号：11A0084777

(AlN/GaN)マルチ・バッファ層で歪みを制御することによるAlNとAlGaNエピタキシャル層の結晶品質の改善

Improvement of crystal quality of AlN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AlN/GaN) multi-buffer layer

著者 (4件)： NIIKURA E ,  MURAKAWA K ,  HASEGAWA F ,  KAWANISHI H
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 298  ページ： 345-348  発行年： 2007年 
JST資料番号： O3553A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlN ,  GaN ,  マルチ ,  バッファ層 ,  歪み ,  AlGaN ,  エピタキシャル層 ,  結晶品質