文献

J-GLOBAL ID：201102204396167390   整理番号：11A1159965

レコード高周波特性をもつ60nm自己整合ゲートInGaAs HEMT

60nm Self-Aligned-Gate InGaAs HEMTs with Record High-Frequency Characteristics

著者 (3件)： KIM Tae-Woo (Massachusetts Inst. Technol.(MIT), MA, USA) ,  KIM Dae-Hyun (Massachusetts Inst. Technol.(MIT), MA, USA) ,  DEL ALAMO Jesus A. (Massachusetts Inst. Technol.(MIT), MA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 696-699  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非合金MoベースOhm接触及び非常に低い寄生容量ゲート設計の,新しい自己整列ゲートInGaAs HEMTを実証した。この新しいプロセスは,接触抵抗及びソース抵抗の非常に低い値,及びレコード高周波特性を提供した。提案した素子アーキテクチャは,MOS型素子を達成するためのゲートスタックへの高Kゲート誘電体の組み込みを可能にした。とくに,ゲート長60nmの素子は,V_DS=0.5Vにおいて2.1mS/μmの相互コンダクタンス,V_DS=0.6Vにおいてf_T=580GHz,及びf_max=675GHzを示した。

シソーラス用語： *HF【周波数】 ,  *自己整合 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *HEMT ,  モリブデン ,  Ohm接触 ,  *ゲート【半導体】 ,  漂遊容量 ,  接触抵抗 ,  熱安定性 ,  *周波数応答 ,  伝送線路 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： ゲート長 ,  TLM法

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： レコード ,  高周波特性 ,  自己整合 ,  ゲート ,  InGaAs ,  HEMT