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J-GLOBAL ID：201102204696169726   整理番号：11A0167420

歪んだバイポーラ方形電圧により駆動される同軸キセノンエキシマー紫外ランプからのエキサイマ紫外(EUV)放射のシミュレーション

Simulation of Excimer Ultraviolet (EUV) Emission from a Coaxial Xenon Excimer Ultraviolet Lamp Driven by Distorted Bipolar Square Voltages

著者 (5件)： JOU S.-Y. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HUNG C.-T. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIU Y.-M. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WU J.-S. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  WEI B.-Y. (Material and Chemical Res. Lab., Hsinchu, TWN)
資料名： Plasma Chemistry and Plasma Processing  (Plasma Chemistry and Plasma Processing)
巻： 30  号： 6  ページ： 907-931  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： H0836A  ISSN： 0272-4324  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだ方形電圧によって駆動される同軸エキシマー紫外(EUV)ランプを一次元流体モデリング法でシミュレーションした。背景圧力,電源の駆動周波数,誘電体層のギャップ距離及び数など,EUVランプ設計の際の幾つかの重要なパラメータの効果をシミュレーションで考察した。真空紫外(VUV)放射が最も強い,放電周期の初期の部分で,電子パワー吸収が生じた。周波数,圧力,ギャップ距離,誘電体の数を変えて行ったVUV放射のパラメトリック研究では,周波数を変える効果は最も小さく,VUV放射の最大値は600Torrの場合で,VUV放射はギャップ距離の増加と共に増加した。VUV放射の値は2誘電体の場合より1誘電体の場合が良かった。

シソーラス用語： キセノンランプ ,  *放電ランプ ,  *紫外線ランプ ,  周波数依存性 ,  圧力効果 ,  シミュレーション ,  真空紫外線 ,  放射強度 ,  エキシマ
準シソーラス用語： *エキシマランプ ,  圧力依存性 ,  距離依存性 ,  *紫外線放射

分類 (1件)： 光源,照明器具  (NB12020F)

タイトルに関連する用語 (10件)： バイポーラ ,  方形 ,  同軸 ,  キセノン ,  エキシマー ,  ランプ ,  エキサイマ ,  EUV ,  放射 ,  シミュレーション