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J-GLOBAL ID：201102204983022060   整理番号：11A0174229

反強誘電体/誘電体積層構造内の強誘電相安定化

Ferroelectric Phase Stabilization within Antiferroelectric/Dielectric Stacking Layers

著者 (2件)： WENG X.D. (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  JIANG A.Q. (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Ferroelectrics  (Ferroelectrics)
巻： 406  ページ： 1368-1374,1574  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： D0777A  ISSN： 0015-0193  CODEN： FEROA8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々な固体素子への応用可能性から反強誘電体薄膜の開発が精力的に研究されている。本研究では,反強誘電体PbZr_0.96Ti_0.04O₃/Al₂O₃積層構造内の印加電場を取除いた後の高電場強誘電相を安定化する方法を開発した。この積層構造では,Al₂O₃層は高電場強誘電相を維持するための遮断層である。反強誘電分域の強誘電分域への変換効率を残留分極の値から評価した。また,温度を29°Cから160°Cに上げて,多層膜の安定化した強誘電性を調べた。

シソーラス用語： *反強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  強誘電分域 ,  残留分極 ,  安定化 ,  *強誘電性 ,  多層膜 ,  チタン酸塩 ,  亜鉛化合物 ,  鉛化合物 ,  酸化アルミニウム ,  効率
準シソーラス用語： 変換効率 ,  *反強誘電体薄膜

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反強誘電体 ,  誘電体 ,  積層構造 ,  安定化