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J-GLOBAL ID：201102205370696919   整理番号：11A1093127

c軸に沿って成長させたSiC基板のMgB_2厚膜の研究

THE STUDY OF SIC SUBSTRATE MgB_2 THICK FILMS GREW ALONGcAXIS

著者 (3件)： Meng Sheng (School of Physics, Peking Univ., Beijing) ,  Zhang Congrao (School of Physics, Peking Univ., Beijing) ,  Feng Qingrong (School of Physics, Peking Univ., Beijing)
資料名： Diwen Wuli Xuebao  (Diwen Wuli Xuebao)
巻： 32  号： 1  ページ： 12-15  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2352A  ISSN： 1000-3258  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ハイブリッド物理化学気相成長法(HPCVD)の技術を用いることにより,c軸に沿って成長させたSiC基板上のMgB_2厚膜を調製した。膜厚は8μmであった。電気測定から,Tc(開始)が41.4Kであることを示した,遷移幅は0.5K,残留抵抗比率(RRR)は7付近であった。磁気測定から,臨界電流密度は,自己場内において5Kで1.7×106A/cm2であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  磁気測定 ,  気相成長 ,  残留抵抗 ,  電気測定 ,  物理化学 ,  *超伝導薄膜 ,  *マグネシウム化合物 ,  ホウ化物 ,  厚膜 ,  炭化ケイ素 ,  基板 ,  薄膜成長 ,  膜厚 ,  臨界温度
準シソーラス用語： ハイブリッド ,  化学気相成長法

分類 (2件)： 超伝導体の物性一般  (BM04021A) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： C軸 ,  成長 ,  SiC基板 ,  厚膜 ,  研究