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J-GLOBAL ID：201102206363048541   整理番号：11A0084384

CdSeTeエピ層組成制御のための分子線エピタキシーの成長条件

Growth conditions in molecular beam epitaxy for controlling CdSeTe epilayer composition

著者 (3件)： MATSUMURA N ,  SAKAMOTO T ,  SARAIE J
資料名： JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
巻： 251  号： 1-4  ページ： 602-606  発行年： 2003年 
JST資料番号： O3553A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピ層 ,  組成制御 ,  分子線エピタキシー ,  成長条件