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J-GLOBAL ID：201102206970247340   整理番号：11A0005066

多層誘電基板の存在下で線形端接続を用いたプレーナ形ヘリックス

Planar Helix With Straight-Edge Connections in the Presence of Multilayer Dielectric Substrates

著者 (3件)： CHUA Ciersiang (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ADITYA Sheel (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  SHEN Zhongxiang (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 12  ページ： 3451-3459  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 進行波管への応用のため,解析,シミュレーションと測定により,多層誘電基板の存在下で線形端接続を用いたプレーナ形遅波構造のヘリックス(螺旋)について調べた。提案した修正実効誘電率(MEDC)方法を用いて,この構造の分散特性を良く近似することができることを示した。また,2次元(2D)プレーナ形ヘリックス近似を用いて,その構造の結合インピーダンスを推定した。位相速度と結合インピーダンスへの真空トンネル,金属シールドと多層基板などの実際の修正効果について調べた。真空トンネルを用いた場合,シールドした反転ヘリックスとシールドしたヘリックス構成は,大きい結合インピーダンス値とともに,比較的平坦な位相速度対周波数曲線を生じることがわかった。また,その基板のアスペクト比,金属シールド距離と誘電率の位相速度と結合インピーダンスへの効果について調べた。コプレーナ形導波路(CPW)フィードを用いた,無シールドの正規の螺旋状線構造を作製し,低減衰と広帯域幅とともに,線形端接続による作製容易性の可能性を示した。測定したS-パラメータと位相速度は,シミュレーション結果および解析結果と良く一致することを示した。

シソーラス用語： *多層構造 ,  *誘電体 ,  *基板 ,  誘電率 ,  *進行波管 ,  *ヘリックス構造 ,  S行列 ,  *コプレーナ導波路 ,  位相速度 ,  遅波回路 ,  減衰特性 ,  広帯域 ,  シミュレーション

分類 (2件)： 伝送回路素子一般  (NC04010G) ,  電子管,放電管  (NC02020D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層 ,  線形 ,  プレーナ ,  ヘリックス