文献

J-GLOBAL ID：201102207081908544   整理番号：11A0162359

Coストライプアレイにより修飾したNb薄膜の異方的磁気抵抗応答

Anisotropic magnetoresistive response in thin Nb films decorated by an array of Costripes

著者 (5件)： DOBROVOLSKIY O V (Goethe-Univ., Frankfurt am Main, DEU) ,  DOBROVOLSKIY O V (Kharkiv National Univ., Kharkiv, UKR) ,  HUTH M (Goethe-Univ., Frankfurt am Main, DEU) ,  SHKLOVSKIJ V A (Kharkiv National Univ., Kharkiv, UKR) ,  SHKLOVSKIJ V A (NSC-KIPT, Kharkiv, UKR)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 23  号： 12  ページ： 125014.1-15  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長したままのナノ構造Nb薄膜についていろいろな温度で回転-電流法により輸送測定を行い,磁気抵抗応答を調べた。エピタキシャルNb(110)配向薄膜はa面(11-20)サファイア基板上にDCマグネトロンスパッタリングにより作製した。収束電子ビーム誘起堆積(FEBID)法を用いて基板上に周期的に配列した一方向Coストライプを蒸着した。ナノ構造膜において磁気抵抗率ρ(T,α)および臨界電流密度j_c(T,α)(α:Coストライプに対する電流方向)に明確な8形極点図が観測された。ρ(T,α)およびj_c(T,α)の8形は一方向Coストライプにより膜に洗濯板状ピン止めポテンシャルが生じていることを示す。FEBIDプロセスにより超伝導膜を強磁性修飾することによりマスクなしナノパターン形成を行う新しい方向性を示すことができた。このプロセスは混合状態の抵抗応答を制御する上で有望である。

シソーラス用語： *ニオブ ,  異方性 ,  *コバルト ,  アレイ ,  *化学修飾 ,  ナノ構造 ,  エピタクシー ,  マグネトロンスパッタリング ,  電子ビーム ,  化学蒸着 ,  収束 ,  臨界電流密度 ,  形態 ,  磁束ピン止め ,  ポテンシャル ,  超伝導薄膜 ,  強磁性体 ,  パターン形成 ,  混合状態 ,  回転 ,  回転角 ,  原子間力顕微鏡 ,  温度依存性 ,  極点図 ,  電流 ,  *磁気抵抗効果 ,  *金属薄膜
準シソーラス用語： ストライプ構造 ,  ナノパターン形成 ,  電子ビーム誘起堆積 ,  輸送特性

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (7件)： CO ,  アレイ ,  修飾 ,  Nb ,  薄膜 ,  磁気抵抗 ,  応答