文献

J-GLOBAL ID：201102208046142012   整理番号：11A0306348

193nmの検査システムを用いた最新の計算機リソグラフィー論理レチクルの検査

Inspection of advanced computational lithography logic reticles using a 193-nm inspection system

著者 (13件)： YU Ching-Fang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LIN Mei-Chun (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LAI Mei-Tsu (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  HSU Luke T. H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  CHIN Angus (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LEE S. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  YEN Anthony (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TWN) ,  WANG Jim (KLA-Tencor Corp. (Taiwan), Hsin-Chu, TWN) ,  CHEN Ellison (KLA-Tencor Corp. (Taiwan), Hsin-Chu, TWN) ,  WU David (KLA-Tencor Corp. (Taiwan), Hsin-Chu, TWN) ,  BROADBENT William H. (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  HUANG William (KLA-Tencor Corp., CA, USA) ,  ZHU Zinggang (KLA-Tencor Corp., CA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7823  号： Pt.2  ページ： 78232F.1-78232F.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の光学近接補正法と計算機リソグラフィー(CL)法を用いて設計した酸化物,ポリ,金属層を含む22nmノードの製品の論理レチクルを193nmの最新のレチクル検査システムのレチクル面検査モードで検査した。検査システムの感度はルールベース制御と新しいモデルベース制御を用いて制御した。システムの欠陥検出感度はプログラム欠陥をもつレチクルを使用して測定した。感度をルールベース制御した検査は通常の設計のレチクルの検査仕様に合致したが,CL法で設計した特定のレチクルでは複雑な解像補助パターン(SRAF)のニュイサンス/誤検出数が大きくなった。感度をモデルベース制御した検査ではSRAFのニュイサンス/誤り検出数が大幅に減少した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *計算機利用システム ,  *レチクル ,  *システム ,  極端紫外線 ,  近接効果 ,  感度 ,  制御 ,  欠陥
準シソーラス用語： *検査システム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 検査システム ,  計算機リソグラフィー ,  論理 ,  レチクル ,  検査